Advanced chemical oxidation treatment of dye wastewater and

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Dieses Modell ist jedoch nur mit einigen Näherungen gültig. Grundlagen Tunnelprozesses bei Bedingungen berechnet, bei denen noch kein Tunneln stattfindet. Dies ist aber nur für kleine Biasspannungen (< 10 mV) und großem Spitze - Substratabstand gerechtfertigt. Ist die Bias - Spannung größer bzw. der Abstand geringer, kann durch die Wechselwirkung zwischen Spitze und Substrat die Tunnelbarriere stark beeinflusst werden. Eine genaue Beschreibung wird dadurch erheblich komplizierter. Um die erhaltenen Messergebnisse dennoch interpretieren zu können, ist die Verwendung von vereinfachten eindimensionalen Tunnelmodellen zweckmäßig (Abb.

Kehrt man die Polarisation der Spitze um, tunneln Elektronen aus den vor der Spitze befindlichen Restgasatomen in die Spitze [58]. Wie bei der Elektronenemission werden Stufenkanten wegen ihres energetischen Vorteils bevorzugt. Feld – Ionen – Mikroskopie Ladung in Richtung einer negativ polarisierten Kanalplatte beschleunigt und erzeugen ebenfalls ein Abbild der Stufenkanten (Abb. 14). Dadurch, dass die Ionisationsenergie der Gasatome geringer ist als die benötigte Energie, um Elektronen aus der Spitze ins Vakuum zu befördern, wird die Richtungsunschärfe reduziert bzw.

Ein ausgetretenes Elektron folgt dann den elektrischen Feldlinien bis es, vervielfacht durch die Kanalplatte, auf dem Phosphorschirm einen einzelnen Punkt zum Leuchten bringt [61]. Abb. 13: Prinzipielle Funktionsweise des Feld - Elektronen - Mikroskops. Durch die unterschiedlich stark angeregten Punkte auf dem Phosphorschirm entsteht ein Bild, das die Stufenkanten der Spitze sichtbar macht. Grundlagen emittierten Elektronen trotz tiefer Temperaturen der Spitze eine große Richtungsunschärfe besitzen, sind nur Auflösungen von minimal ca.

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